자기장 내 갭 그래핀의 밸리 홀 점성

홀 점성은 일반적으로 시간에 따라 변하는 변형률에 대한 응력 반응으로 정의되지만, 이는 고체 실험에서 구현하기 어려운 섭동입니다. 본 연구에서는 정적인 공간 불균일 전기장에 대한 유사한 점탄성 반응을 정식화하고, 이를 변형률 기반 반응과 비교했습니다. 수직 자기장 하의 갭 그래핀에서 두 정식화는 동일한 란다우 준위 반응을 보였으며, 이 홀 점성은 두 밸리 사이에서 비대칭적으로 나타났습니다. 자기장이 없는 경우, 밸리 짝수 양자 계량 계수와 밸리 홀 전도도가 결합하여 동일하고 반대되는 밸리 분해 반응을 생성하며, 전역 시간 역전 대칭성으로 인해 순 홀 점성은 사라집니다. 절연 상태에서 정확한 입자-정공 대칭성은 이러한 영자기장 반응을 제거하는 반면, 입자-정공 대칭성 깨짐은 점유된 페르미 바다로부터 차단 의존적인 기하학적 기여를 발생시킵니다. 이러한 결과는 밸리 의존적 점탄성과 갭 디락 물질의 전자기 반응 사이의 연관성을 밝히고, 밸리 홀 점성이 발생할 수 있는 조건을 명확히 합니다.