SiC 방사선 손상: 나노 스케일 변형 및 결정립계 역할
탄화규소(SiC)의 방사선 유도 변형을 이해하는 것은 내방사선 세라믹 소재 설계를 위해 필수적입니다. 기존 방법으로는 다결정 SiC의 나노 스케일 변형 구배를 파악하기 어려웠습니다. 본 연구에서는 헬륨 및 수소 이온 조사된 단결정 4H-SiC와 다결정 α-SiC에서 나노빔 정밀 전자 회절(N-PED)을 활용하여 고해상도 다방향 변형 매핑을 수행했습니다. N-PED 결과는 헬륨 및 수소 이온 조사된 단결정 4H-SiC의 고해상도 X선 회절(HR-XRD) 시뮬레이션과 일치하여 N-PED 방법의 신뢰성을 입증했습니다. 고온에서 헬륨 조…