GaSbP/InP 이종접합 GAA 나노선 TFET 성능 분석
본 연구는 채널 길이 100nm의 이종접합 전면 게이트 나노선 터널 전계효과 트랜지스터(HJ-GAA-NWTFET)를 설계하고, 약 10^13의 높은 I_ON/I_OFF 비율과 약 10^-19A의 극히 낮은 오프 상태 전류(I_OFF)를 달성했습니다. 이 소자는 기존 GAA-NWTFET와 비교하여 전기적 및 바이오센싱 매개변수 모두에서 향상된 성능을 보였습니다. 전면 게이트 구조는 강력한 게이트 제어를 통해 I_OFF 억제를 크게 개선하고 I_ON/I_OFF 비율을 향상시킵니다. 또한, 이종접합 통합은 온 상태 전류(I_ON)를 증대시켜 HJ-GAA-NWTFET가 정교한 저전력 및 고성능 장치 응용 분야에 적합한 옵션임을 입증했습니다. 제안된 유전체 변조 HJ-GAA-NWTFET 기반 바이오센서는 낮은 문턱 전압과 서브스레스홀 스윙(SS)을 특징으로 하여 저전력 바이오센서 응용 분야에 매우 적합합니다. 이러한 특성은 차세대 전자기기 및 바이오센서 개발에 중요한 기여를 할 것으로 기대됩니다.