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멤리스터

3편의 한국어 분석 — 최신순으로 정렬했어요

전기·전자발표 2026.09· 0

멤리스터 교차점의 유선 저항 보상

멤리스터 교차점(crossbar)에서 유선 저항은 기하학적 구조에 따라 전압 감쇠를 유발하여 아날로그 행렬-벡터 곱셈(MVM) 성능을 저하시키며, 기생 누설 경로(sneak path)는 어레이 크기 증가에 따라 출력 전류를 왜곡합니다. 본 연구는 수평 및 수직 상호 연결과 기생 전도를 모두 고려하는 폐쇄형 분산 선 저항 모델을 개발하여, 명시적인 노드 전압 프로파일과 상호 연결 손실이 유효 컨덕턴스 행렬을 어떻게 변형시키는지에 대한 분석적 설명을 제공합니다. 이 예측 프레임워크를 활용하여 연산은 전적으로 아날로그 방식으로 유지되며…

전기·전자발표 2026.08· 0

1T3R 멤리스터 기반 디지털 근접 메모리 컴퓨팅

폰 노이만 아키텍처는 데이터 집약적인 AI 애플리케이션에서 메모리 병목 현상에 직면해 있습니다. 멤리스터 기반 CIM(Computing-in-Memory)은 데이터 이동을 줄이는 유망한 대안이지만, 기존 아날로그 CIM은 잡음, 누설 전류, 소자 편차, 그리고 고해상도 ADC의 면적 및 전력 오버헤드에 취약합니다. 본 연구는 3비트 부호화된 가중치 저장을 위한 1T3R(1-Transistor-3-Resistor) 비트 슬라이싱 방식을 활용한 회로도 수준의 디지털 근접 메모리 컴퓨팅 아키텍처를 제안합니다. 각 가중치는 2의 보수 표…

전기·전자발표 2025.11· 39최근 1년 39회

이온 변위 유도 강유전성 기능화

반강유전성 2차원 재료는 독특한 물리적 메커니즘을 통해 조절 가능한 분극 동역학과 층상 구조 특성을 보이며, 단일 소자 아키텍처 내에서 시냅스 가소성, 감각 모방 기능 및 인메모리 컴퓨팅을 통합 구현할 수 있습니다. 이러한 능력은 뉴로모픽 시스템의 다형성 요구 사항을 충족하며 차세대 뉴로모픽 컴퓨팅 플랫폼의 강력한 후보로 자리매김합니다. 특히 CuBiP₂Se₆는 안정적인 층간 반평행 Cu⁺ 다이폴 구성을 특징으로 하는 고유한 반강유전 특성으로 인해 2D 반강유전 재료 중에서 두드러집니다. 이 구조는 완화형 거동과 결합하여 인가된 …

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