멤리스터 교차점(crossbar)에서 유선 저항은 기하학적 구조에 따라 전압 감쇠를 유발하여 아날로그 행렬-벡터 곱셈(MVM) 성능을 저하시키며, 기생 누설 경로(sneak path)는 어레이 크기 증가에 따라 출력 전류를 왜곡합니다. 본 연구는 수평 및 수직 상호 연결과 기생 전도를 모두 고려하는 폐쇄형 분산 선 저항 모델을 개발하여, 명시적인 노드 전압 프로파일과 상호 연결 손실이 유효 컨덕턴스 행렬을 어떻게 변형시키는지에 대한 분석적 설명을 제공합니다.
이 예측 프레임워크를 활용하여 연산은 전적으로 아날로그 방식으로 유지되며…
폰 노이만 아키텍처는 데이터 집약적인 AI 애플리케이션에서 메모리 병목 현상에 직면해 있습니다. 멤리스터 기반 CIM(Computing-in-Memory)은 데이터 이동을 줄이는 유망한 대안이지만, 기존 아날로그 CIM은 잡음, 누설 전류, 소자 편차, 그리고 고해상도 ADC의 면적 및 전력 오버헤드에 취약합니다.
본 연구는 3비트 부호화된 가중치 저장을 위한 1T3R(1-Transistor-3-Resistor) 비트 슬라이싱 방식을 활용한 회로도 수준의 디지털 근접 메모리 컴퓨팅 아키텍처를 제안합니다. 각 가중치는 2의 보수 표…
반강유전성 2차원 재료는 독특한 물리적 메커니즘을 통해 조절 가능한 분극 동역학과 층상 구조 특성을 보이며, 단일 소자 아키텍처 내에서 시냅스 가소성, 감각 모방 기능 및 인메모리 컴퓨팅을 통합 구현할 수 있습니다. 이러한 능력은 뉴로모픽 시스템의 다형성 요구 사항을 충족하며 차세대 뉴로모픽 컴퓨팅 플랫폼의 강력한 후보로 자리매김합니다.
특히 CuBiP₂Se₆는 안정적인 층간 반평행 Cu⁺ 다이폴 구성을 특징으로 하는 고유한 반강유전 특성으로 인해 2D 반강유전 재료 중에서 두드러집니다. 이 구조는 완화형 거동과 결합하여 인가된 …