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쇼트키 다이오드

1의 한국어 분석 — 최신순으로 정렬했어요

물리학발표 2025.09· 5최근 1년 5

테라헤르츠 대역 쇼트키 정류기 모델링

본 연구는 접합 다이내믹스, 레이아웃 기생 효과 및 전자기 결합 효과를 포함하는 쇼트키 다이오드 정류기를 위한 비선형 상태 공간 모델을 제시한다. 기존 접근 방식과 달리, 이 모델은 고조파가 풍부한 여기(excitation) 하에서 전도 구간을 분석하고, 고주파에서 전자기장 유도 교란을 포착하기 위해 전자기 전압-전류 피드백을 통합한다. 개발된 프레임워크는 5.8 GHz 정류기 설계에 적용하여 검증되었다. 500 Ω 부하에서 -10 dBm 입력 시 62%의 RF-DC 효율을 달성했으며, 시뮬레이션 결과와 측정값이 높은 일치도를 보였다. 이 결과는 모델의 예측 정확도를 확인시켜주며, 마이크로파 및 테라헤르츠 응용 분야에서 고효율 렉테나 시스템 설계에 유용함을 입증한다.

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