밀리켈빈 Si-MOSFET 양자 전자공학
실리콘 CMOS 전자회로의 높은 전력 소비는 초대규모 집적회로(VLSI)의 주요 과제이자, 내결함성 양자 컴퓨팅 구현에 큰 걸림돌이 됩니다. 특히 1K 이하의 극저온 환경에서 Si-MOSFET의 전력 소모를 열 예산에 맞추려면 현재 CMOS 기술을 뛰어넘는 스위칭 성능이 필수적입니다. 본 연구에서는 1K 이하 응용 분야의 전력 소모 장벽을 극복하기 위해 최적화된 완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터(SOI) MOSFET을 제작했습니다. 이 극저온 최적화 트랜지스터는 기존 기술의 한계를 넘어설 수 있도록 설계되었습니다. 연구 결과, …