펨토초 레이저 어닐링을 통한 SiC 실리콘 공공 특성 향상
4H-SiC 내 실리콘 공공(VSi)은 고체 큐비트의 유망한 후보이지만, 기존 고온 어닐링 방식은 불순물 확산 및 공간 국한성 제한이라는 문제점이 있었다. 본 연구에서는 양성자 주입된 4H-SiC에서 VSi 색 중심의 복원 및 특성 조절을 위한 펨토초 레이저 어닐링 기법을 제안한다. 이 방법은 마이크로미터 스케일의 열 상호작용 영역 내에서 극도로 높은 순간 피크 온도를 발생시켜, 격자 손상을 효과적으로 제거하고 과도한 결함 확산을 억제한다. 이를 통해 상온 광발광 강도가 초기 값의 1.5배로 향상되었으며, 저온 스펙트럼에서 제로 …