ColumnDisturb: DRAM 열 기반 읽기 방해 현상 분석
본 연구는 상용 DRAM 칩에서 새로운 읽기 방해 현상인 ColumnDisturb를 실험적으로 규명합니다. 특정 DRAM 행(공격자 행)을 반복적으로 활성화하거나 개방 상태로 유지함으로써, DRAM 열(비트라인)을 통해 인접한 여러 DRAM 서브어레이에 걸쳐 동일한 열을 공유하는 DRAM 셀에 비트플립을 유도할 수 있음을 보였습니다. ColumnDisturb는 단일 서브어레이 내 소수 행에 영향을 미치는 RowHammer 및 RowPress와 달리, 단일 행 활성화로 최대 세 개의 DRAM 서브어레이(예: DDR4 칩에서 최대 30…