저전압용 9T SRAM 셀 설계 및 성능 개선
에너지 소모가 큰 사물 인터넷(IoT) 기기의 확산에 따라 온칩 SRAM은 저전력화를 위한 중요한 발전을 거듭하고 있습니다. 본 연구는 쓰기 지연 시간을 크게 줄이기 위해 새로운 9-트랜지스터(9T) 쓰기 보조 읽기 분리(WARD) SRAM 비트셀을 제안합니다. 이 설계는 낮은 문턱 전압(VTH)의 쓰기 액세스 트랜지스터와 가상 접지(VGND) 보조 기술을 32nm CMOS 공정에서 활용하여 저전압 동작을 구현합니다. 제안된 WARD 9T 셀은 0.6V 동작 전압에서 기존 SRAM 비트셀 대비 쓰기 지연 시간을 크게 단축했습니다.…