볼츠만 한계 초과 터널 FET 성능 구현
국제 소자 및 시스템 로드맵(IRDS)은 구동 전압 및 전력 소비의 지속 가능한 축소를 가능하게 하는 차세대 논리 소자로 터널 전계 효과 트랜지스터(TFET)를 지목했습니다. 그러나 볼츠만 열전자 한계 이하의 ON 전류(I60, 즉 서브스레시홀드 스윙이 60mV/decade일 때의 전류)와 전류 스위칭 비율을 동시에 달성하는 것은 큰 과제로 남아있었습니다. 본 연구에서는 비스무트/인듐 셀레나이드(Bi/InSe) 이종접합 기반의 TFET를 개발했습니다. 이 소자는 정밀한 재료 설계, 진공 환경에서 제작된 깨끗한 계면, 그리고 서브스…