Cr2O3/β-Ga2O3 이종접합 다이오드의 방향 의존적 항복 전계
본 연구는 β-Ga2O3 기반 고전계 소자의 성능 향상을 위해 Cr2O3/β-Ga2O3 이종접합 다이오드(HJD)를 제작하고, β-Ga2O3 결정 방위에 따른 고전계 처리 능력의 의존성을 평가했습니다. 특히 저대칭 단사정계 β-Ga2O3의 이방성을 고려하여 (100), (010), (001), (110), (011) 방위를 따라 Cr2O3를 반응성 마그네트론 스퍼터링으로 증착했습니다. 정확한 유효 전하 밀도 추출 및 항복 전계 분석을 위해 (110) 및 (011) 방위의 β-Ga2O3 상대 유전율을 제일원리 계산으로 도출했습니다.…