고내구성 Sb2Se3 광 스위치 개발
이 연구는 실리콘 질화물(Si3N4) 플랫폼에 통합된 상변화 물질(PCM) Sb2Se3 기반의 전기 구동식, 저손실 비휘발성 광 스위치에 대해 보고한다. 본 소자는 8인치 웨이퍼 스케일 공정 흐름을 사용하여 제작되었으며, 광 집적 회로(PIC)의 확장 가능한 제조 가능성을 입증하였다. 적응형 전압 및 투명 인듐 주석 산화물(ITO) 마이크로히터를 활용하여 비정질 및 결정질 상태 간의 가역적 스위칭이 1억 4천만 회 이상의 스위칭 주기 동안 달성되었다. 이는 비휘발성 집적 포토닉 메모리 및 재구성 가능한 아키텍처를 위한 새로운 벤치마크를 제시한다. 또한, 펄스 카운트 의존적인 점진적 결정화를 통해 6비트 이상의 다단계 동작이 반복적으로 시연되어 광학 위상의 정밀한 제어가 가능함을 보였다. 이러한 결과는 고밀도 프로그래밍 가능 및 비휘발성 포토닉 집적 시스템을 위한 확장 가능하고 에너지 효율적인 플랫폼의 가능성을 강조한다.