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실리콘 질화물

2편의 한국어 분석 — 최신순으로 정렬했어요

재료공학발표 2026.09· 0

고내구성 Sb2Se3 광 스위치 개발

이 연구는 실리콘 질화물(Si3N4) 플랫폼에 통합된 상변화 물질(PCM) Sb2Se3 기반의 전기 구동식, 저손실 비휘발성 광 스위치에 대해 보고한다. 본 소자는 8인치 웨이퍼 스케일 공정 흐름을 사용하여 제작되었으며, 광 집적 회로(PIC)의 확장 가능한 제조 가능성을 입증하였다. 적응형 전압 및 투명 인듐 주석 산화물(ITO) 마이크로히터를 활용하여 비정질 및 결정질 상태 간의 가역적 스위칭이 1억 4천만 회 이상의 스위칭 주기 동안 달성되었다. 이는 비휘발성 집적 포토닉 메모리 및 재구성 가능한 아키텍처를 위한 새로운 벤치마크를 제시한다. 또한, 펄스 카운트 의존적인 점진적 결정화를 통해 6비트 이상의 다단계 동작이 반복적으로 시연되어 광학 위상의 정밀한 제어가 가능함을 보였다. 이러한 결과는 고밀도 프로그래밍 가능 및 비휘발성 포토닉 집적 시스템을 위한 확장 가능하고 에너지 효율적인 플랫폼의 가능성을 강조한다.

전기·전자발표 2026.06· 3최근 1년 3회

광 집적회로의 하이브리드 비선형 효과

광 집적회로에서 비선형 광학 현상은 주로 단일 재료 플랫폼의 비선형성을 활용합니다. 본 연구는 두 가지 재료에서 발생하는 하이브리드 광학 비선형성을 시연하며, 실리카 클래딩 실리콘 질화물(Si3N4) 미세 공진기에서 라만 산란과 커 주파수 빗 생성의 결합 현상을 관찰했습니다. 실리카 클래딩은 라만 이득을 제공하고, Si3N4 코어는 주파수 빗 생성을 위한 커 비선형성을 제공합니다. 이를 통해 기존에 충분한 라만 이득 부족으로 관찰되지 않았던 라만 산란이 집적 실리콘 질화물 광자 플랫폼에 도입되었습니다. 실리카 클래딩 Si3N4 공진기에서 143mW의 온칩 광 출력으로 라만 레이징이 관찰되었으며, 이는 이론적 시뮬레이션과 일치합니다. 도파로의 분산 엔지니어링을 통해 광대역 라만-커 주파수 빗 생성이 성공적으로 이루어졌습니다. 다중 재료의 하이브리드 광학 비선형성 활용은 집적 광자 장치에 새로운 기능을 제공합니다. 예를 들어, 2차 및 3차 비선형 재료를 결합하여 초연속광 생성과 주파수 빗의 자체 참조를 동시에 구현할 수 있습니다. 각기 다른 비선형성에 대해 낮은 문턱 전력을 갖는 재료들을 결합함으로써 고해상도 분광학, 광대역 초연속광 생성, 통신 등 다양한 응용 분야를 위한 고효율 비선형 광자 회로를 구현할 수 있을 것으로 기대됩니다.

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